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IRLD014PBF
功率场效应管, MOSFET, N通道, 60 V, 1.7 A, 0.2 ohm, DIP, 通孔
已停产
IRLD014PBF 的替代之选
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产品概述
Third generation power MOSFET provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness.
- Dynamic dV/dot rating
- For automatic insertion
- End stackable
- Logic-level gate drive
- Fast switching
警告
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
1.7A
晶体管封装类型
DIP
Rds(on)测试电压
5V
功率耗散
1.3W
工作温度最高值
175°C
合规
-
漏源电压, Vds
60V
漏源接通状态电阻
0.2ohm
晶体管安装
通孔
阈值栅源电压最大值
2V
针脚数
4引脚
产品范围
-
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000549