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IRL640PBF
功率场效应管, MOSFET, N通道, 200 V, 17 A, 0.18 ohm, TO-220AB, 通孔
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY20.260 (CNY22.8938) |
| 10+ | CNY10.980 (CNY12.4074) |
| 100+ | CNY9.920 (CNY11.2096) |
| 500+ | CNY8.010 (CNY9.0513) |
| 1000+ | CNY7.100 (CNY8.023) |
| 5000+ | CNY6.960 (CNY7.8648) |
包装规格：每个
最低: 1
多件: 1
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产品概述
The IRL640PBF is a third generation N-channel enhancement-mode Power MOSFET comes with the best combination of fast switching, ruggedized device design and low ON-resistance. The package is universally preferred for power dissipation levels to approximately 50W. The low thermal resistance of the package contributes to its wide acceptance throughout the industry.
- Dynamic dV/dt rating
- Repetitive avalanche rated
- Logic-level gate drive
- Ease of paralleling
- RDS (ON) Specified at VGS = 4 and 5V
- Simple drive requirements
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
17A
晶体管封装类型
TO-220AB
Rds(on)测试电压
5V
功率耗散
125W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (04-Feb-2026)
漏源电压, Vds
200V
漏源接通状态电阻
0.18ohm
晶体管安装
通孔
阈值栅源电压最大值
2V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
-
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Israel
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Israel
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (04-Feb-2026)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.005443