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IRL510PBF
功率场效应管, MOSFET, N通道, 100 V, 5.6 A, 0.54 ohm, TO-220AB, 通孔
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产品概述
Third generation power MOSFET provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness.
- Dynamic dV/dot rating
- Repetitive avalanche rated
- Logic-level gate drive
- 175°C operating temperature
- Fast switching
- Ease of paralleling
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
5.6A
晶体管封装类型
TO-220AB
Rds(on)测试电压
5V
功率耗散
43W
工作温度最高值
175°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (04-Feb-2026)
漏源电压, Vds
100V
漏源接通状态电阻
0.54ohm
晶体管安装
通孔
阈值栅源电压最大值
2V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
-
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (04-Feb-2026)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.002