打印页面
IRFZ40PBF
功率场效应管, MOSFET, N通道, 60 V, 35 A, 0.028 ohm, TO-220AB, 通孔
534 有货
需要更多？
534 件可于 5-6 个工作日内送达(美国 库存)
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY25.970 (CNY29.3461) |
| 10+ | CNY12.720 (CNY14.3736) |
| 100+ | CNY10.900 (CNY12.317) |
| 500+ | CNY9.760 (CNY11.0288) |
| 1000+ | CNY8.470 (CNY9.5711) |
| 5000+ | CNY8.310 (CNY9.3903) |
包装规格：每个
最低: 1
多件: 1
CNY25.97 (CNY29.35 含税)
品項附註
此订单的信息已添加到您的订单确认邮件、发票和发货通知中。
产品概述
The IRFZ40PBF is a HEXFET® third generation N-channel Power MOSFET provides the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design and low ON-resistance. The package is universally preferred for commercial-industrial applications at power dissipation levels to approximately 50W.
- Dynamic dV/dt rating
- Fast switching
- Ease of paralleling
- Simple drive requirements
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
35A
晶体管封装类型
TO-220AB
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
150W
工作温度最高值
175°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (04-Feb-2026)
漏源电压, Vds
60V
漏源接通状态电阻
0.028ohm
晶体管安装
通孔
阈值栅源电压最大值
4V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
-
相关产品
找到 2 件产品
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Israel
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Israel
进行最后一道重要生产流程所在的地区
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (04-Feb-2026)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.002658