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IRFR014PBF
功率场效应管, MOSFET, N通道, 60 V, 7.7 A, 0.2 ohm, TO-252 (DPAK), 表面安装
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|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 1 | CNY17.570 | CNY17.57 |
切割卷带 & 复卷
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|---|---|
| 1+ | CNY17.570 (CNY19.8541) |
| 10+ | CNY8.390 (CNY9.4807) |
| 25+ | CNY7.990 (CNY9.0287) |
| 50+ | CNY7.590 (CNY8.5767) |
| 100+ | CNY7.190 (CNY8.1247) |
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产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号IRFR014PBF复制
库存编号
复卷8649600RL
切割卷带8649600
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds60V
电流, Id 连续7.7A
漏源接通状态电阻0.2ohm
晶体管封装类型TO-252 (DPAK)
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值4V
功率耗散25W
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (04-Feb-2026)
产品概述
The IRFR014PBF is a third generation N-channel enhancement-mode Power MOSFET comes with the best combination of fast switching, ruggedized device design and low ON-resistance. The DPAK is designed for surface-mount using vapour phase, infrared or wave soldering techniques. Power dissipation levels up to 1.5W are possible in typical surface-mount applications.
- Dynamic dV/dt rating
- Ease of paralleling
- Surface-mount
- Simple drive requirements
警告
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技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
7.7A
晶体管封装类型
TO-252 (DPAK)
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
25W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (04-Feb-2026)
漏源电压, Vds
60V
漏源接通状态电阻
0.2ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
4V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (04-Feb-2026)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.009072