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| 5+ | CNY211.780 (CNY239.3114) |
| 10+ | CNY175.480 (CNY198.2924) |
| 50+ | CNY157.330 (CNY177.7829) |
| 100+ | CNY145.220 (CNY164.0986) |
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最低: 1
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产品概述
IRFP22N50APBF是一款具有低栅极电荷的N沟道增强模式功率MOSFET。
- 简单的驱动要求
- 改良门极, 雪崩与动态dv/dt耐用性
- 完全表征电容值与雪崩电压与电流
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
22A
晶体管封装类型
TO-247AC
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
277W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (04-Feb-2026)
漏源电压, Vds
500V
漏源接通状态电阻
0.23ohm
晶体管安装
通孔
阈值栅源电压最大值
4V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
-
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法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Israel
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Israel
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (04-Feb-2026)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.006

