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IRFI640GPBF
功率场效应管, MOSFET, N通道, 200 V, 9.8 A, 0.18 ohm, TO-220FP, 通孔
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY41.830 (CNY47.2679) |
| 10+ | CNY21.620 (CNY24.4306) |
| 100+ | CNY19.690 (CNY22.2497) |
| 500+ | CNY16.220 (CNY18.3286) |
| 1000+ | CNY14.930 (CNY16.8709) |
| 5000+ | CNY14.640 (CNY16.5432) |
包装规格：每个
最低: 1
多件: 1
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产品概述
IRFI640GPBF 是一款第三代N沟道增强型功率MOSFET, 快速开关, 坚固耐用, 低导通电阻。FULLPAK无需额外的绝缘硬件。模塑化合物提供高隔离能力和低热阻。隔离效果相当于100 micron云母隔离层。FULLPAK可配合夹子或螺丝, 在器件上安装散热器。
- 隔离封装
- 2.5kVRMS (t = 60s, f = 60Hz)高压隔离
- 4.8mm ‘Sink to lead’爬电距离
- 动态dV/dt额定值
- 低热阻
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
9.8A
晶体管封装类型
TO-220FP
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
40W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (04-Feb-2026)
漏源电压, Vds
200V
漏源接通状态电阻
0.18ohm
晶体管安装
通孔
阈值栅源电压最大值
4V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
-
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Israel
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Israel
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (04-Feb-2026)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.002