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IRFD9010PBF.
场效应管, MOSFET, P沟道, HEXDIP
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY13.470 (CNY15.2211) |
| 10+ | CNY10.020 (CNY11.3226) |
| 100+ | CNY8.150 (CNY9.2095) |
| 500+ | CNY6.790 (CNY7.6727) |
| 1000+ | CNY6.060 (CNY6.8478) |
| 5000+ | CNY5.720 (CNY6.4636) |
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多件: 1
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产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号IRFD9010PBF.复制
库存编号9765433
技术数据表
通道类型P Channel
电流, Id 连续1.1A
漏源接通状态电阻0.5ohm
晶体管封装类型HVMDIP
晶体管安装Through Hole
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值4V
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 - Unlimited
技术规格
通道类型
P Channel
漏源接通状态电阻
0.5ohm
晶体管安装
Through Hole
阈值栅源电压最大值
4V
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 - Unlimited
电流, Id 连续
1.1A
晶体管封装类型
HVMDIP
Rds(on)测试电压
10V
工作温度最高值
150°C
合规
-
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：United States
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：United States
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.004536