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IRFD110PBF 的替代之选
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产品概述
IRFD110PBF 是一款 N 沟道功率 MOSFET,兼具快速开关、坚固耐用的器件设计、低导通电阻和成本效益。
- 动态dv/dt额定值
- 符合重复雪崩测试标准
- 自动插入
- 可堆叠
- 175°C工作温度
- 快速开关和易于并联
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
1A
晶体管封装类型
DIP
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
1.3W
工作温度最高值
175°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (04-Feb-2026)
漏源电压, Vds
100V
漏源接通状态电阻
0.54ohm
晶体管安装
通孔
阈值栅源电压最大值
4V
针脚数
4引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
-
法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.00059

