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IRFB18N50KPBF
功率场效应管, MOSFET, N通道, 500 V, 18 A, 0.29 ohm, TO-220AB, 通孔
已停产
产品概述
The IRFB18N50KPBF is a 500V N-channel Power MOSFET with low gate charge Qg results in simple drive requirement. It operates at high frequency with hard switching application. Suitable for SMPS and high speed power switching.
- Improved gate, avalanche and dynamic dv/dt ruggedness
- Fully characterized capacitance and avalanche voltage and current
- Low RDS (ON)
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
18A
晶体管封装类型
TO-220AB
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
200W
工作温度最高值
150°C
合规
-
漏源电压, Vds
500V
漏源接通状态电阻
0.29ohm
晶体管安装
通孔
阈值栅源电压最大值
5V
针脚数
3引脚
产品范围
-
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
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产品合规证书
重量（千克）：.002