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IRF9Z30PBF
功率场效应管, MOSFET, HEXFET, P通道, 50 V, 18 A, 0.14 ohm, TO-220AB, 通孔
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产品概述
The IRF9Z30PBF is a P-channel enhancement-mode Power MOSFET designed for application which require the convenience of reverse polarity operation. This device design achieve very low ON-state resistance combined with high trans-conductance and extreme device ruggedness. It is intended for use in power stages where complementary symmetry with n-channel devices offer circuit simplification. It is also very useful in drive stages because of the circuit versatility offered by the reverse polarity connection.
- Fast switching
- Compact plastic package
- Low drive current
- Ease of paralleling
- Excellent temperature stability
技术规格
通道类型
P通道
电流, Id 连续
18A
晶体管封装类型
TO-220AB
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
74W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (04-Feb-2026)
漏源电压, Vds
50V
漏源接通状态电阻
0.14ohm
晶体管安装
通孔
阈值栅源电压最大值
4V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
-
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (04-Feb-2026)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.002