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IRF9520SPBF
功率场效应管, MOSFET, P通道, 100 V, 6.8 A, 0.6 ohm, TO-263AB, 表面安装
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| 1+ | CNY22.090 (CNY24.9617) |
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| 100+ | CNY9.920 (CNY11.2096) |
| 500+ | CNY7.780 (CNY8.7914) |
| 1000+ | CNY7.630 (CNY8.6219) |
| 5000+ | CNY7.470 (CNY8.4411) |
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产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号IRF9520SPBF
库存编号2335245
技术数据表
通道类型P通道
漏源电压, Vds100V
电流, Id 连续6.8A
漏源接通状态电阻0.6ohm
晶体管封装类型TO-263AB
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值4V
功率耗散60W
针脚数3引脚
工作温度最高值175°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (04-Feb-2026)
产品概述
The IRF9520SPBF is a third generation P-channel enhancement-mode Power MOSFET comes with the best combination of fast switching, ruggedized device design and low ON-resistance. The D2PAK is a surface-mount power package capable of accommodating die size up to HEX-4. It provides the highest power capability in any existing surface-mount package. The D2PAK is suitable for high current applications because of its low internal connection resistance and can dissipate up to 2W in a typical surface-mount application.
- Dynamic dV/dt rating
- Repetitive avalanche rated
- -55 to 175°C Operating temperature range
- Surface-mount
- Halogen-free
技术规格
通道类型
P通道
电流, Id 连续
6.8A
晶体管封装类型
TO-263AB
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
60W
工作温度最高值
175°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (04-Feb-2026)
漏源电压, Vds
100V
漏源接通状态电阻
0.6ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
4V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (04-Feb-2026)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.002493