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IRF840ALPBF
功率场效应管, MOSFET, N通道, 500 V, 8 A, 0.85 ohm, TO-262, 通孔
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产品概述
The IRF840ALPBF is a HEXFET® N-channel Power MOSFET offers low gate charge Qg results in simple drive requirement. It is suitable for high speed power switching.
- Improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness
- Fully characterized capacitance, avalanche voltage and current
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
8A
晶体管封装类型
TO-262
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
3.1W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (04-Feb-2026)
漏源电压, Vds
500V
漏源接通状态电阻
0.85ohm
晶体管安装
通孔
阈值栅源电压最大值
-
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
-
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Israel
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Israel
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (04-Feb-2026)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.002386