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XPN3R804NC,L1XHQ(O
功率场效应管, MOSFET, N通道, 40 V, 40 A, 3800 µohm, TSON Advance, 表面安装
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
制造商TOSHIBA
制造商产品编号XPN3R804NC,L1XHQ(O复制
库存编号
复卷4294074RL
切割卷带4294074
产品范围U-MOSVIII Series
也称为XPN3R804NC, XPN3R804NC,L1XHQ
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 1 | CNY4.220 | CNY4.22 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY4.220 (CNY4.7686) |
| 10+ | CNY4.220 (CNY4.7686) |
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产品信息
制造商TOSHIBA
制造商产品编号XPN3R804NC,L1XHQ(O复制
库存编号
复卷4294074RL
切割卷带4294074
产品范围U-MOSVIII Series
也称为XPN3R804NC, XPN3R804NC,L1XHQ
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds40V
电流, Id 连续40A
漏源接通状态电阻3800µohm
晶体管封装类型TSON Advance
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值2.5V
功率耗散100W
针脚数8引脚
工作温度最高值175°C
产品范围U-MOSVIII Series
合规AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)To Be Advised
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
40A
晶体管封装类型
TSON Advance
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
100W
工作温度最高值
175°C
合规
AEC-Q101
漏源电压, Vds
40V
漏源接通状态电阻
3800µohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
2.5V
针脚数
8引脚
产品范围
U-MOSVIII Series
SVHC(高度关注物质)
To Be Advised
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Japan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Japan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:稍后通知
SVHC:To Be Advised
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000029