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XPN12006NC,L1XHQ(O
功率场效应管, MOSFET, N通道, 60 V, 20 A, 0.012 ohm, TSON Advance, 表面安装
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 1 | CNY12.820 | CNY12.82 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY12.820 (CNY14.4866) |
| 10+ | CNY7.400 (CNY8.362) |
| 100+ | CNY5.070 (CNY5.7291) |
| 500+ | CNY4.270 (CNY4.8251) |
| 1000+ | CNY3.890 (CNY4.3957) |
| 5000+ | CNY3.580 (CNY4.0454) |
品項附註
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技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
20A
晶体管封装类型
TSON Advance
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
65W
工作温度最高值
175°C
合规
AEC-Q101
漏源电压, Vds
60V
漏源接通状态电阻
0.012ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
2.5V
针脚数
8引脚
产品范围
U-MOSVIII-H Series
SVHC(高度关注物质)
To Be Advised
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Japan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Japan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:稍后通知
SVHC:To Be Advised
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产品合规证书
重量（千克）：.000026