打印页面
TW060N120C,S1F(S
碳化硅MOSFET, 单, N通道, 36 A, 1.2 kV, 0.078 ohm, TO-247
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
制造商TOSHIBA
制造商产品编号TW060N120C,S1F(S
库存编号4049760
也称为TW060N120C, TW060N120C,S1F
您的零件号
可订购
有货时请通知我
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY174.810 (CNY197.5353) |
| 5+ | CNY148.350 (CNY167.6355) |
| 10+ | CNY121.890 (CNY137.7357) |
| 50+ | CNY119.460 (CNY134.9898) |
| 100+ | CNY117.020 (CNY132.2326) |
| 250+ | CNY114.580 (CNY129.4754) |
包装规格：每个
最低: 1
多件: 1
CNY174.81 (CNY197.54 含税)
品項附註
此订单的信息已添加到您的订单确认邮件、发票和发货通知中。
产品信息
制造商TOSHIBA
制造商产品编号TW060N120C,S1F(S
库存编号4049760
也称为TW060N120C, TW060N120C,S1F
技术数据表
MOSFET模块配置单
通道类型N通道
电流, Id 连续36A
漏源电压, Vds1.2kV
漏源接通状态电阻0.078ohm
晶体管封装类型TO-247
针脚数3引脚
Rds(on)测试电压18V
阈值栅源电压最大值5V
功率耗散170W
工作温度最高值175°C
产品范围-
技术规格
MOSFET模块配置
单
电流, Id 连续
36A
漏源接通状态电阻
0.078ohm
针脚数
3引脚
阈值栅源电压最大值
5V
工作温度最高值
175°C
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
1.2kV
晶体管封装类型
TO-247
Rds(on)测试电压
18V
功率耗散
170W
产品范围
-
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.006