打印页面
TW045Z120C,S1F(S
碳化硅MOSFET, 单, N通道, 40 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, TO-247
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
制造商TOSHIBA
制造商产品编号TW045Z120C,S1F(S
库存编号4247123
也称为TW045Z120C, TW045Z120C,S1F
您的零件号
57 有货
需要更多？
57 件可于 5-6 个工作日内送达(英国 库存)
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY201.070 (CNY227.2091) |
| 5+ | CNY173.320 (CNY195.8516) |
| 10+ | CNY145.570 (CNY164.4941) |
| 50+ | CNY142.660 (CNY161.2058) |
| 100+ | CNY139.750 (CNY157.9175) |
| 250+ | CNY136.840 (CNY154.6292) |
包装规格：每个
最低: 1
多件: 1
CNY201.07 (CNY227.21 含税)
品項附註
此订单的信息已添加到您的订单确认邮件、发票和发货通知中。
产品信息
制造商TOSHIBA
制造商产品编号TW045Z120C,S1F(S
库存编号4247123
也称为TW045Z120C, TW045Z120C,S1F
技术数据表
MOSFET模块配置单
通道类型N通道
电流, Id 连续40A
漏源电压, Vds1.2kV
漏源接通状态电阻0.045ohm
晶体管封装类型TO-247
针脚数4引脚
Rds(on)测试电压18V
阈值栅源电压最大值5V
功率耗散182W
工作温度最高值175°C
产品范围-
技术规格
MOSFET模块配置
单
电流, Id 连续
40A
漏源接通状态电阻
0.045ohm
针脚数
4引脚
阈值栅源电压最大值
5V
工作温度最高值
175°C
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
1.2kV
晶体管封装类型
TO-247
Rds(on)测试电压
18V
功率耗散
182W
产品范围
-
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00655