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TW045N120C,S1F(S
碳化硅MOSFET, 单, N通道, 40 A, 1.2 kV, 0.059 ohm, TO-247
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
制造商TOSHIBA
制造商产品编号TW045N120C,S1F(S
库存编号4049759
也称为TW045N120C, TW045N120C,S1F
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|---|---|
| 1+ | CNY204.410 (CNY230.9833) |
| 5+ | CNY166.650 (CNY188.3145) |
| 10+ | CNY128.890 (CNY145.6457) |
| 50+ | CNY127.770 (CNY144.3801) |
| 100+ | CNY126.650 (CNY143.1145) |
| 250+ | CNY124.120 (CNY140.2556) |
包装规格：每个
最低: 1
多件: 1
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产品信息
制造商TOSHIBA
制造商产品编号TW045N120C,S1F(S
库存编号4049759
也称为TW045N120C, TW045N120C,S1F
技术数据表
MOSFET模块配置单
通道类型N通道
电流, Id 连续40A
漏源电压, Vds1.2kV
漏源接通状态电阻0.059ohm
晶体管封装类型TO-247
针脚数3引脚
Rds(on)测试电压18V
阈值栅源电压最大值5V
功率耗散182W
工作温度最高值175°C
产品范围-
技术规格
MOSFET模块配置
单
电流, Id 连续
40A
漏源接通状态电阻
0.059ohm
针脚数
3引脚
阈值栅源电压最大值
5V
工作温度最高值
175°C
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
1.2kV
晶体管封装类型
TO-247
Rds(on)测试电压
18V
功率耗散
182W
产品范围
-
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.006