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TPW1R104PB,L1Q(O
功率场效应管, MOSFET, N通道, 40 V, 120 A, 950 µohm, DSOP, 表面安装
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
制造商TOSHIBA
制造商产品编号TPW1R104PB,L1Q(O
库存编号
复卷4173248RL
切割卷带4173248
产品范围U-MOSIX-H Series
也称为TPW1R104PB, TPW1R104PB,L1Q
您的零件号
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 1 | CNY27.200 | CNY27.20 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY27.200 (CNY30.736) |
| 10+ | CNY17.410 (CNY19.6733) |
| 100+ | CNY14.790 (CNY16.7127) |
| 500+ | CNY13.940 (CNY15.7522) |
| 1000+ | CNY13.460 (CNY15.2098) |
品項附註
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产品信息
制造商TOSHIBA
制造商产品编号TPW1R104PB,L1Q(O
库存编号
复卷4173248RL
切割卷带4173248
产品范围U-MOSIX-H Series
也称为TPW1R104PB, TPW1R104PB,L1Q
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds40V
电流, Id 连续120A
漏源接通状态电阻950µohm
晶体管封装类型DSOP
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值3V
功率耗散132W
针脚数8引脚
工作温度最高值175°C
产品范围U-MOSIX-H Series
合规-
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
120A
晶体管封装类型
DSOP
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
132W
工作温度最高值
175°C
合规
-
漏源电压, Vds
40V
漏源接通状态电阻
950µohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
3V
针脚数
8引脚
产品范围
U-MOSIX-H Series
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Japan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Japan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00009