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TPN2R805PL,L1Q(M
功率场效应管, MOSFET, N通道, 45 V, 139 A, 2200 µohm, TSON, 表面安装
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
制造商TOSHIBA
制造商产品编号TPN2R805PL,L1Q(M
库存编号
复卷4173232RL
切割卷带4173232
产品范围U-MOSIX-H Series
也称为TPN2R805PL, TPN2R805PL,L1Q
您的零件号
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 1 | CNY10.450 | CNY10.45 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY10.450 (CNY11.8085) |
| 10+ | CNY6.570 (CNY7.4241) |
| 100+ | CNY4.360 (CNY4.9268) |
| 500+ | CNY3.410 (CNY3.8533) |
| 1000+ | CNY3.400 (CNY3.842) |
品項附註
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产品信息
制造商TOSHIBA
制造商产品编号TPN2R805PL,L1Q(M
库存编号
复卷4173232RL
切割卷带4173232
产品范围U-MOSIX-H Series
也称为TPN2R805PL, TPN2R805PL,L1Q
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds45V
电流, Id 连续139A
漏源接通状态电阻2200µohm
晶体管封装类型TSON
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值2.4V
功率耗散104W
针脚数8引脚
工作温度最高值175°C
产品范围U-MOSIX-H Series
合规-
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
139A
晶体管封装类型
TSON
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
104W
工作温度最高值
175°C
合规
-
漏源电压, Vds
45V
漏源接通状态电阻
2200µohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
2.4V
针脚数
8引脚
产品范围
U-MOSIX-H Series
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00003