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TPN19008QM,LQ(S
功率场效应管, MOSFET, N通道, 80 V, 38 A, 0.0147 ohm, TSON, 表面安装
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
制造商TOSHIBA
制造商产品编号TPN19008QM,LQ(S
库存编号
复卷4173229RL
切割卷带4173229
产品范围U-MOSX-H Series
也称为TPN19008QM, TPN19008QM,LQ
您的零件号
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 1 | CNY9.380 | CNY9.38 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY9.380 (CNY10.5994) |
| 10+ | CNY5.900 (CNY6.667) |
| 100+ | CNY3.890 (CNY4.3957) |
| 500+ | CNY3.030 (CNY3.4239) |
| 1000+ | CNY2.750 (CNY3.1075) |
| 5000+ | CNY2.700 (CNY3.051) |
品項附註
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产品信息
制造商TOSHIBA
制造商产品编号TPN19008QM,LQ(S
库存编号
复卷4173229RL
切割卷带4173229
产品范围U-MOSX-H Series
也称为TPN19008QM, TPN19008QM,LQ
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds80V
电流, Id 连续38A
漏源接通状态电阻0.0147ohm
晶体管封装类型TSON
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值3.5V
功率耗散57W
针脚数8引脚
工作温度最高值175°C
产品范围U-MOSX-H Series
合规-
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
38A
晶体管封装类型
TSON
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
57W
工作温度最高值
175°C
合规
-
漏源电压, Vds
80V
漏源接通状态电阻
0.0147ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
3.5V
针脚数
8引脚
产品范围
U-MOSX-H Series
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000064