TBD62502AFNG(Z,EL)

• TBD62502A 系列 BiCD 硅单片集成电路
• 7 通道漏极 DMOS 晶体管阵列
• 高电压为 50V（最大，Ta = 25°C），高电流为 300mA/通道（最大，Ta = 25°C）
• 输入电压范围为 14 至 25V（输出导通，IOUT = 100mA 或更高，VOUT = 2V，Ta = −40 至 85 °C）
• 输出漏电流为 1.0μA（最大，VOUT = 50V，Ta = 85°C，VIN = 0V）
• 导通延迟为 0.4μs（典型值，VOUT = 50V，RL = 200 ohm，CL = 15pF）
• 关断延迟为 0.8μs（典型值，VOUT = 50V，RL = 200 ohm，CL = 15pF）
• SSOP16-P-225-0.65B 封装，工作温度范围为 -40 至 85°C

注释

使用时请注意散热状况。