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SSM6N7002KFU,LF(T
双路场效应管, MOSFET, N通道, 60 V, 60 V, 300 mA, 300 mA, 1.05 ohm
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
制造商TOSHIBA
制造商产品编号SSM6N7002KFU,LF(T复制
库存编号
整卷4320134
复卷3872307RL
切割卷带3872307
也称为SSM6N7002KFU ,SSM6N7002KFU,LF
您的零件号
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY1.140 | CNY5.70 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY1.140 (CNY1.2882) |
| 50+ | CNY0.849 (CNY0.9594) |
| 100+ | CNY0.604 (CNY0.6825) |
| 500+ | CNY0.424 (CNY0.4791) |
| 1500+ | CNY0.342 (CNY0.3865) |
整卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 3000+ | CNY1.750 (CNY1.9775) |
| 9000+ | CNY1.070 (CNY1.2091) |
品項附註
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产品信息
制造商TOSHIBA
制造商产品编号SSM6N7002KFU,LF(T复制
库存编号
整卷4320134
复卷3872307RL
切割卷带3872307
也称为SSM6N7002KFU ,SSM6N7002KFU,LF
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压Vds N沟道60V
漏源电压Vds P沟道60V
连续漏极电流 Id N沟道300mA
连续漏极电流 Id P沟道300mA
漏源通态电阻N沟道1.05ohm
漏源导通电阻P沟道1.05ohm
晶体管封装类型SOT-363
针脚数6引脚
耗散功率N沟道500mW
耗散功率P沟道500mW
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
SVHC(高度关注物质)To Be Advised
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压Vds P沟道
60V
连续漏极电流 Id P沟道
300mA
漏源导通电阻P沟道
1.05ohm
针脚数
6引脚
耗散功率P沟道
500mW
产品范围
-
SVHC(高度关注物质)
To Be Advised
漏源电压Vds N沟道
60V
连续漏极电流 Id N沟道
300mA
漏源通态电阻N沟道
1.05ohm
晶体管封装类型
SOT-363
耗散功率N沟道
500mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:To Be Advised
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000001