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SSM6L61NU,LF(T
双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 20 V, 20 V, 4 A, 4 A, 0.025 ohm
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY3.620 | CNY18.10 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY3.620 (CNY4.0906) |
| 50+ | CNY2.650 (CNY2.9945) |
| 100+ | CNY1.900 (CNY2.147) |
| 500+ | CNY1.390 (CNY1.5707) |
| 1500+ | CNY1.210 (CNY1.3673) |
品項附註
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技术规格
通道类型
N和P沟道
漏源电压Vds P沟道
20V
连续漏极电流 Id P沟道
4A
漏源导通电阻P沟道
0.025ohm
针脚数
6引脚
耗散功率P沟道
1W
产品范围
-
SVHC(高度关注物质)
To Be Advised
漏源电压Vds N沟道
20V
连续漏极电流 Id N沟道
4A
漏源通态电阻N沟道
0.025ohm
晶体管封装类型
UDFN
耗散功率N沟道
1W
工作温度最高值
150°C
合规
-
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:To Be Advised
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000145