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SSM6L14FE(TE85L,F)
双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 20 V, 20 V, 800 mA, 720 mA, 0.24 ohm
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
制造商TOSHIBA
制造商产品编号SSM6L14FE(TE85L,F)复制
制造商标准货期32 周
库存编号
复卷4415940RL
切割卷带4415940
也称为SSM6L14FE, SSM6L14FE(TE85L
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| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY3.820 | CNY19.10 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY3.820 (CNY4.3166) |
| 10+ | CNY2.340 (CNY2.6442) |
| 100+ | CNY1.490 (CNY1.6837) |
| 500+ | CNY1.130 (CNY1.2769) |
| 1000+ | CNY0.724 (CNY0.8181) |
| 5000+ | CNY0.648 (CNY0.7322) |
品項附註
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产品信息
制造商TOSHIBA
制造商产品编号SSM6L14FE(TE85L,F)复制
制造商标准货期32 周
库存编号
复卷4415940RL
切割卷带4415940
也称为SSM6L14FE, SSM6L14FE(TE85L
技术数据表
通道类型N和P沟道
漏源电压Vds N沟道20V
漏源电压Vds P沟道20V
连续漏极电流 Id N沟道800mA
连续漏极电流 Id P沟道720mA
漏源通态电阻N沟道0.24ohm
漏源导通电阻P沟道0.3ohm
晶体管封装类型SOT-563
针脚数6引脚
耗散功率N沟道150mW
耗散功率P沟道150mW
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
SVHC(高度关注物质)To Be Advised
技术规格
通道类型
N和P沟道
漏源电压Vds P沟道
20V
连续漏极电流 Id P沟道
720mA
漏源导通电阻P沟道
0.3ohm
针脚数
6引脚
耗散功率P沟道
150mW
产品范围
-
SVHC(高度关注物质)
To Be Advised
漏源电压Vds N沟道
20V
连续漏极电流 Id N沟道
800mA
漏源通态电阻N沟道
0.24ohm
晶体管封装类型
SOT-563
耗散功率N沟道
150mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Japan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Japan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:To Be Advised
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000003