打印页面
SSM3K123TU,LF(T
功率场效应管, MOSFET, N通道, 20 V, 4.2 A, 0.019 ohm, SOT-323F, 表面安装
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
制造商TOSHIBA
制造商产品编号SSM3K123TU,LF(T复制
制造商标准货期32 周
库存编号
复卷3872279RL
切割卷带3872279
也称为SSM3K123TU ,SSM3K123TU,LF
您的零件号
4,150 有货
需要更多？
5 件可于下一个工作日送达(Shanghai 库存)
4,145 件可于 5-6 个工作日内送达(英国 库存)
包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 复卷 | 5 | CNY3.380 | CNY16.90 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY3.380 (CNY3.8194) |
| 10+ | CNY2.070 (CNY2.3391) |
| 100+ | CNY1.530 (CNY1.7289) |
| 500+ | CNY1.200 (CNY1.356) |
| 1000+ | CNY1.040 (CNY1.1752) |
| 5000+ | CNY0.955 (CNY1.0792) |
品項附註
此订单的信息已添加到您的订单确认邮件、发票和发货通知中。
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
4.2A
晶体管封装类型
SOT-323F
Rds(on)测试电压
4V
功率耗散
800mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
漏源电压, Vds
20V
漏源接通状态电阻
0.019ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
1V
针脚数
3引脚
产品范围
-
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000454