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GT30J65MRB,S1E(S
IGBT, 60 A, 1.4 V, 200 W, 650 V, TO-3P, 3 引脚
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY28.030 (CNY31.6739) |
| 10+ | CNY19.360 (CNY21.8768) |
| 100+ | CNY15.710 (CNY17.7523) |
| 500+ | CNY14.770 (CNY16.6901) |
| 1000+ | CNY14.060 (CNY15.8878) |
包装规格：每个
最低: 1
多件: 1
CNY28.03 (CNY31.67 含税)
品項附註
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技术规格
连续集电极电流
60A
功率耗散
200W
晶体管封装类型
TO-3P
工作温度最高值
175°C
产品范围
-
集电极-发射极饱和电压
1.4V
最大集电极发射电压
650V
针脚数
3引脚
晶体管安装
通孔
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0046