打印页面
TSM1NB60CP ROG
功率场效应管, MOSFET, N通道, 600 V, 1 A, 8 ohm, TO-252 (DPAK), 表面安装
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
4,624 有货
需要更多？
4624 件可于 5-6 个工作日内送达(英国 库存)
包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 1 | CNY7.170 | CNY7.17 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY7.170 (CNY8.1021) |
| 10+ | CNY6.830 (CNY7.7179) |
| 100+ | CNY6.480 (CNY7.3224) |
| 500+ | CNY6.140 (CNY6.9382) |
| 1000+ | CNY5.800 (CNY6.554) |
| 5000+ | CNY5.740 (CNY6.4862) |
品項附註
此订单的信息已添加到您的订单确认邮件、发票和发货通知中。
产品概述
The TSM1NB60CP is a 600V N-channel Power MOSFET with single configuration, which features low gate charge. It is suitable for power supply and charger applications.
- Advanced planar process
- 100% Avalanche tested
- Low RDS (ON)
- Low CRSS
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
1A
晶体管封装类型
TO-252 (DPAK)
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
39W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (17-Jan-2023)
漏源电压, Vds
600V
漏源接通状态电阻
8ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
3.5V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
-
TSM1NB60CP ROG 的替代之选
找到 1 件产品
相关产品
找到 1 件产品
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Jan-2023)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.001996