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TSM1NB60CP ROG
功率场效应管, MOSFET, N通道, 600 V, 1 A, 8 ohm, TO-252 (DPAK), 表面安装
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
制造商产品编号TSM1NB60CP ROG复制
库存编号
复卷2345414RL
切割卷带2345414
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 1 | CNY8.920 | CNY8.92 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY8.920 (CNY10.0796) |
| 10+ | CNY5.570 (CNY6.2941) |
| 100+ | CNY5.540 (CNY6.2602) |
| 500+ | CNY5.500 (CNY6.215) |
| 1000+ | CNY5.470 (CNY6.1811) |
| 5000+ | CNY5.430 (CNY6.1359) |
品項附註
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产品概述
The TSM1NB60CP is a 600V N-channel Power MOSFET with single configuration, which features low gate charge. It is suitable for power supply and charger applications.
- Advanced planar process
- 100% Avalanche tested
- Low RDS (ON)
- Low CRSS
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
1A
晶体管封装类型
TO-252 (DPAK)
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
39W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (17-Jan-2023)
漏源电压, Vds
600V
漏源接通状态电阻
8ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
3.5V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
-
TSM1NB60CP ROG 的替代之选
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Jan-2023)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.001996