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VNS3NV04DPTR-E
电源负载分配开关，低端，2 输出，2 通道，5 A，SOIC-8
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
制造商产品编号VNS3NV04DPTR-E复制
制造商标准货期21 周
库存编号
复卷2762749RL
切割卷带2762749
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 1 | CNY19.510 | CNY19.51 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY19.510 (CNY22.0463) |
| 10+ | CNY13.150 (CNY14.8595) |
| 50+ | CNY12.040 (CNY13.6052) |
| 100+ | CNY10.920 (CNY12.3396) |
| 250+ | CNY10.610 (CNY11.9893) |
| 500+ | CNY9.420 (CNY10.6446) |
| 1000+ | CNY9.200 (CNY10.396) |
| 2500+ | CNY8.460 (CNY9.5598) |
品項附註
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产品概述
VNS3NV04DPTR-E 是一款汽车 OMNIFET II 全自动保护功率 MOSFET。它由两个单片芯片（OMNIFET II）组成，采用标准封装。OMNIFET II 采用意法半导体 VI Power M0-3 技术设计，用于在频率高达 50kHz 的直流应用中替代标准功率 MOSFET。内置热关断、线性电流限制和过压箝位功能可在恶劣环境中保护芯片。可通过监测输入引脚的电压来检测故障反馈。
- 符合 AEC-Q100 标准，线性电流限制
- 热关断、短路保护、集成夹钳
- 输入引脚的电流非常低
- 通过输入引脚进行诊断反馈，ESD 保护
- 直接接入功率MOSFET的栅极 (模拟驱动)
- 兼容标准功率MOSFET
- 静态漏极-源极导通电阻最大值为 120 mohm（VIN = 5V；ID = 1.5A；Tj = 25°C）
- 漏极电流限制为 5A（典型值，VIN = 5V；VDS = 13V，-40°C <lt/> Tj <lt/> 150°C）
- 漏极-源极箝位电压为 45V（典型值，VIN = 0V，ID = 1.5A，-40°C <lt/> Tj <lt/> 150°C）
- SO-8封装，工作温度范围为-40°C至150°C
警告
市场对该产品的需求导致交货期延长。交货日期可能会有波动。产品不享受折扣。
技术规格
电源负载开关类型
低压侧
输入电压
-
通电阻
0.12ohm
针脚数
8引脚
开/使能输入极性
-
工作温度最小值
-40°C
合规
-
湿气敏感性等级
MSL 3 - 168小时
汽车质量标准
-
通道数
2放大器
电流极限
5A
IC 外壳 / 封装
SOIC
热保护
是
输出数
2输出
工作温度最高值
150°C
产品范围
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
配电开关封装类型
SOIC
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85423990
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000132