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VNS1NV04DPTR-E
功率场效应管, MOSFET, N通道, 45 V, 1.7 A, 0.25 ohm, SOIC, 表面安装
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY10.690 (CNY12.0797) |
| 10+ | CNY7.090 (CNY8.0117) |
| 100+ | CNY6.960 (CNY7.8648) |
| 500+ | CNY6.830 (CNY7.7179) |
| 1000+ | CNY6.700 (CNY7.571) |
| 5000+ | CNY6.560 (CNY7.4128) |
包装规格：单件（切割供应）
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产品概述
VNS1NV04DPTR-E是一款40V全自动保护功率MOSFET, 由两个OMNIFET II芯片组成。OMNIFET II采用VIPower™ M0-3技术设计, 可以替代DC到50KHz应用中的标准功率MOSFET。内置过热关断, 线性电流限制和过压钳位, 可在恶劣环境中保护芯片。可以监测输入引脚的电压, 来检测故障反馈。
- 线性电流限制
- 过热关断
- 短路保护
- 集成钳位
- 输入引脚的电流非常低
- 输入引脚提供诊断反馈
- ESD保护
- 直接接入功率MOSFET的栅极 (模拟驱动)
- 兼容标准功率MOSFET
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
1.7A
晶体管封装类型
SOIC
Rds(on)测试电压
5V
功率耗散
4W
工作温度最高值
-
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
45V
漏源接通状态电阻
0.25ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
500mV
针脚数
8引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
-
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000319