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VNN1NV04PTR-E
功率场效应管, MOSFET, N通道, 45 V, 1.7 A, 0.25 ohm, SOT-223, 表面安装
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
制造商产品编号VNN1NV04PTR-E复制
制造商标准货期26 周
库存编号
整卷2354522
复卷2341720RL
切割卷带2341720
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 1 | CNY9.380 | CNY9.38 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY9.380 (CNY10.5994) |
| 10+ | CNY6.140 (CNY6.9382) |
| 50+ | CNY5.420 (CNY6.1246) |
| 200+ | CNY5.090 (CNY5.7517) |
| 500+ | CNY4.880 (CNY5.5144) |
整卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1000+ | CNY4.540 (CNY5.1302) |
| 3000+ | CNY4.440 (CNY5.0172) |
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产品概述
The VNN1NV04PTR-E is a 45V Fully Auto Protected Power MOSFET designed in VIPower M0 technology intended for replacement of standard power MOSFETS in DC to 50KHz applications. Built-in thermal shutdown, linear current limitation and overvoltage clamp protect the chip in harsh environments. Fault feedback can be detected by monitoring the voltage at the input pin.
- Linear current limitation
- Thermal shutdown
- Short-circuit protection
- Integrated clamp
- Low current drawn from input pin
- Diagnostic feedback through input pin
- ESD protection
- Direct access to the gate of the power MOSFET (analogue driving)
- Compatible with standard power MOSFET
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
1.7A
晶体管封装类型
SOT-223
Rds(on)测试电压
5V
功率耗散
7W
工作温度最高值
-°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
45V
漏源接通状态电阻
0.25ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
500mV
针脚数
4引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
VNN1NV04PTR-E 的替代之选
找到 1 件产品
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000342