打印页面
VNB35N07TR-E
功率场效应管, MOSFET, N通道, 80 V, 18 A, 0.028 ohm, TO-263 (D2PAK), 表面安装
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
制造商产品编号VNB35N07TR-E复制
制造商标准货期21 周
库存编号
复卷1739405RL
切割卷带1739405
您的零件号
可订购
有货时请通知我
包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 1 | CNY36.400 | CNY36.40 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY36.400 (CNY41.132) |
| 10+ | CNY25.210 (CNY28.4873) |
| 100+ | CNY21.560 (CNY24.3628) |
| 500+ | CNY21.410 (CNY24.1933) |
| 1000+ | CNY20.110 (CNY22.7243) |
品項附註
此订单的信息已添加到您的订单确认邮件、发票和发货通知中。
产品概述
The VNB35N07TR-E is an OMNIFET fully auto-protected Power MOSFET made using VIPower® technology. It is intended for replacement of standard power MOSFETs in DC to 50kHz applications. Built-in thermal shutdown, linear current limitation and overvoltage clamp protect the chip in harsh environments. Fault feedback can be detected by monitoring the voltage at the input pin.
- Diagnostic feedback through input pin
- ESD protection
- Direct access to the gate of the power MOSFET (analogue driving)
- Compatible with standard power MOSFET
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
18A
晶体管封装类型
TO-263 (D2PAK)
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
125W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
80V
漏源接通状态电阻
0.028ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
3V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 3 - 168小时
相关产品
找到 4 件产品
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85423990
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.005443