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STW4N150
功率场效应管, MOSFET, N通道, 1.5 kV, 4 A, 7 ohm, TO-247, 通孔
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产品概述
STW4N150是一款1500V N沟道功率MOSFET, 采用高压MESH OVERLAY™工艺开发而成. 优化的布局, 配合专有的边缘端接结构, 可提供每个区域超低RDS (on), 以及极佳的栅极电荷和开关特性. 优秀的栅极电荷和降低功耗, 可以满足当今最苛刻的效率要求.
- 100％经过雪崩测试
- 降低固有电容和Qg
- 高速开关
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
4A
晶体管封装类型
TO-247
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
160W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
1.5kV
漏源接通状态电阻
7ohm
晶体管安装
通孔
阈值栅源电压最大值
4V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
-
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.006