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STS6NF20V
功率场效应管, MOSFET, N通道, 20 V, 6 A, 0.045 ohm, SOIC, 表面安装
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
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| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 1 | CNY6.660 | CNY6.66 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY6.660 (CNY7.5258) |
| 10+ | CNY4.330 (CNY4.8929) |
| 100+ | CNY2.830 (CNY3.1979) |
| 500+ | CNY2.170 (CNY2.4521) |
| 1000+ | CNY2.110 (CNY2.3843) |
| 5000+ | CNY2.060 (CNY2.3278) |
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产品信息
制造商产品编号STS6NF20V
库存编号
复卷9935762RL
切割卷带9935762
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds20V
电流, Id 连续6A
漏源接通状态电阻0.045ohm
晶体管封装类型SOIC
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压2.7V
阈值栅源电压最大值600mV
功率耗散2.5W
针脚数8引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
The STS6NF20V is a STripFET™ II N-channel Power MOSFET specifically designed to minimize input capacitance and gate charge. The device is suitable for use as primary switch in advanced high-efficiency isolated DC-to-DC converters for telecom and computer applications and applications with low gate charge driving requirements.
- Ultra low threshold gate drive
- Standard outline for easy automated surface-mount assembly
警告
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技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
6A
晶体管封装类型
SOIC
Rds(on)测试电压
2.7V
功率耗散
2.5W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
20V
漏源接通状态电阻
0.045ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
600mV
针脚数
8引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000127