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STQ1HNK60R-AP
功率场效应管, MOSFET, N通道, 600 V, 400 mA, 8 ohm, TO-92, 通孔
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| 500+ | CNY2.520 (CNY2.8476) |
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产品信息
制造商产品编号STQ1HNK60R-AP
库存编号1752178
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds600V
电流, Id 连续400mA
漏源接通状态电阻8ohm
晶体管封装类型TO-92
晶体管安装通孔
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值3V
功率耗散3W
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
The STQ1HNK60R-AP is a SuperMESH™ N-channel Power MOSFET features minimized gate charge. The SuperMESH™ is obtained through an extreme optimization of ST's well established strip-based PowerMESH™ layout. In addition to pushing ON-resistance significantly down, special care is taken to ensure a very good dV/dt capability for the most demanding applications. This MOSFET complements ST full range of high voltage Power MOSFETs including revolutionary MDmesh™ products.
- Extremely high dV/dt capability
- Improved ESD capability
- New high voltage benchmark
警告
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
400mA
晶体管封装类型
TO-92
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
3W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
600V
漏源接通状态电阻
8ohm
晶体管安装
通孔
阈值栅源电压最大值
3V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000431