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STPSC10H065G-TR
碳化硅肖特基二极管, 650V系列, 单, 650 V, 10 A, 28.5 nC, TO-263
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
制造商STMICROELECTRONICS
制造商产品编号STPSC10H065G-TR复制
库存编号
复卷2376463RL
切割卷带2376463
产品范围650V
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 1 | CNY26.420 | CNY26.42 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY26.420 (CNY29.8546) |
| 10+ | CNY17.840 (CNY20.1592) |
| 100+ | CNY16.260 (CNY18.3738) |
| 500+ | CNY14.690 (CNY16.5997) |
| 1000+ | CNY14.590 (CNY16.4867) |
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产品信息
制造商STMICROELECTRONICS
制造商产品编号STPSC10H065G-TR复制
库存编号
复卷2376463RL
切割卷带2376463
产品范围650V
技术数据表
产品范围650V
二极管配置单
反向重复峰值电压650V
平均正向电流10A
总电容充电28.5nC
二极管封装类型TO-263 (D2PAK)
引脚数3引脚
工作温度最高值175°C
二极管安装表面安装
合规-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
The STPSC10H065G-TR is a Power Schottky Silicon Carbide Diode features ultra high performance. It is manufactured using a silicon carbide substrate. The wide band gap material allows the design of a Schottky diode structure with a 650V rating. Due to the Schottky construction no recovery is shown at turn-off and ringing patterns are negligible. The minimal capacitive turn-off behaviour is independent of temperature. It is especially suited for use in PFC applications and this ST SiC diode will boost the performance in hard switching conditions. Its high forward surge capability ensures a good robustness during transient phases.
- No or negligible reverse recovery
- Switching behaviour independent of temperature
- High forward surge capability
技术规格
产品范围
650V
反向重复峰值电压
650V
总电容充电
28.5nC
引脚数
3引脚
二极管安装
表面安装
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
二极管配置
单
平均正向电流
10A
二极管封装类型
TO-263 (D2PAK)
工作温度最高值
175°C
合规
-
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.001724