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STP80NF55-08
功率场效应管, MOSFET, N通道, 55 V, 80 A, 8000 µohm, TO-220, 通孔
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产品概述
The STP80NF55-08 from STMicroelectronics is a through hole, 55V N channel STripFET II power MOSFET in TO-220 package. This power MOSFET designed in unique Single Feature Size strip based process, resulting transistor shows extremely high packing density for low onstate resistance, rugged avalanche characteristics and less critical alignment steps. Applicable at switching applications.
- Drain to source voltage (Vds) of 55V
- Gate to source voltage of ±20V
- Continuous drain current (Id) of 80A
- Power dissipation (Pd) of 300W
- Low on state resistance of 6.5mohm at Vgs 10V
- Operating junction temperature range from -55°C to 175°C
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
80A
晶体管封装类型
TO-220
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
300W
工作温度最高值
175°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
55V
漏源接通状态电阻
8000µohm
晶体管安装
通孔
阈值栅源电压最大值
3V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
-
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Morocco
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Morocco
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.002685