打印页面
STP24N60DM2
功率场效应管, MOSFET, N通道, 600 V, 18 A, 0.175 ohm, TO-220AB, 通孔
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
713 有货
需要更多？
713 件可于 5-6 个工作日内送达(英国 库存)
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY24.210 (CNY27.3573) |
| 10+ | CNY14.420 (CNY16.2946) |
包装规格：每个
最低: 1
多件: 1
CNY24.21 (CNY27.36 含税)
品項附註
此订单的信息已添加到您的订单确认邮件、发票和发货通知中。
产品信息
制造商产品编号STP24N60DM2复制
库存编号2807289
产品范围FDmesh II Plus
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds600V
电流, Id 连续18A
漏源接通状态电阻0.175ohm
晶体管封装类型TO-220AB
晶体管安装通孔
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值4V
功率耗散150W
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围FDmesh II Plus
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
STP24N60DM2 is a N-channel 600V, 0.175 ohm typ, 18A FDmesh II Plus™ low Qg Power MOSFET in a TO-220 package. This FDmesh II Plus™ low Qg Power MOSFET with intrinsic fast-recovery body diode is produced using a new generation of MDmesh™ technology: MDmesh II Plus™ low Qg. This revolutionary Power MOSFET associate a vertical structure to the company's strip layout to yield one of the world's lowest on-resistance and gate charge. Therefore, suitable for the most demanding high efficiency converters and ideal for bridge topologies and ZVS phase-shift converters.
- Extremely low gate charge and input capacitance
- Lower RDS(on) x area vs previous generation
- Low gate input resistance
- 100% avalanche tested
- Zener-protected
- Extremely high dv/dt and avalanche capabilities
- Operating junction temperature of 150°C
- Suited for switching applications
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长。交货日期可能会有延迟。该产品不在折扣范围内。
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
18A
晶体管封装类型
TO-220AB
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
150W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
600V
漏源接通状态电阻
0.175ohm
晶体管安装
通孔
阈值栅源电压最大值
4V
针脚数
3引脚
产品范围
FDmesh II Plus
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
STP24N60DM2 的替代之选
找到 2 件产品
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0023