打印页面
STP20NM60
功率场效应管, MOSFET, N通道, 600 V, 20 A, 0.29 ohm, TO-220, 通孔
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
可订购
有货时请通知我
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY51.330 (CNY58.0029) |
| 10+ | CNY27.420 (CNY30.9846) |
| 100+ | CNY25.140 (CNY28.4082) |
| 500+ | CNY24.140 (CNY27.2782) |
| 1000+ | CNY23.770 (CNY26.8601) |
包装规格：每个
最低: 1
多件: 1
CNY51.33 (CNY58.00 含税)
品項附註
此订单的信息已添加到您的订单确认邮件、发票和发货通知中。
产品概述
The STP20NM60 is a MDmesh™ N-channel Power MOSFET features low input capacitance and gate charge. The MDmesh™ is a new revolutionary Power MOSFET technology that associates the multiple drain process with the company's PowerMESH™ horizontal layout. The resulting product has an outstanding low ON-resistance, impressively high dV/dt and excellent avalanche characteristics. The adoption of the company's proprietary strip technique yields overall dynamic performance that is significantly better than that of similar competition's products.
- High dV/dt and avalanche capabilities
- Low gate input resistance
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
20A
晶体管封装类型
TO-220
Rds(on)测试电压
30V
功率耗散
192W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
600V
漏源接通状态电阻
0.29ohm
晶体管安装
通孔
阈值栅源电压最大值
4V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
-
STP20NM60 的替代之选
找到 2 件产品
相关产品
找到 1 件产品
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.002765