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STN1NK60Z
功率场效应管, MOSFET, N通道, 600 V, 300 mA, 15 ohm, SOT-223, 表面安装
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| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY4.460 | CNY22.30 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY4.460 (CNY5.0398) |
| 50+ | CNY3.450 (CNY3.8985) |
| 250+ | CNY2.810 (CNY3.1753) |
| 1000+ | CNY2.590 (CNY2.9267) |
| 2000+ | CNY2.380 (CNY2.6894) |
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产品信息
制造商产品编号STN1NK60Z复制
库存编号
复卷1653678RL
切割卷带1653678
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds600V
电流, Id 连续300mA
漏源接通状态电阻15ohm
晶体管封装类型SOT-223
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值3.75V
功率耗散2W
针脚数4引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
- 600V, 0.3A N-channel zener protected SuperMESH™ power MOSFET in 4 pin SOT-223 package
- 100% avalanche tested
- Extremely high dv/dt capability
- Gate charge minimized
- ESD improved capability
- Suitable for switching applications
- Achieved through optimization of ST's well established strip-based PowerMESH™ layout
- Significant reduction in on-resistance
警告
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技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
300mA
晶体管封装类型
SOT-223
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
2W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
600V
漏源接通状态电阻
15ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
3.75V
针脚数
4引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00023