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STN1HNK60
功率场效应管, MOSFET, N通道, 600 V, 500 mA, 8.5 ohm, SOT-223, 表面安装
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制造商标准货期21 周
库存编号
整卷2354521
复卷1752117RL
切割卷带1752117
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY8.830 | CNY44.15 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY8.830 (CNY9.9779) |
| 50+ | CNY5.920 (CNY6.6896) |
| 250+ | CNY4.690 (CNY5.2997) |
| 1000+ | CNY4.280 (CNY4.8364) |
| 2000+ | CNY3.960 (CNY4.4748) |
整卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 4000+ | CNY3.810 (CNY4.3053) |
| 12000+ | CNY3.740 (CNY4.2262) |
品項附註
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产品概述
The STN1HNK60 is a 600V N-channel SuperMESH™ MOSFET with extreme optimization of well established strip-based PowerMESH™ layout. In addition to pushing on-resistance significantly down, special care is taken to ensure a very good dv/dt capability for the most demanding applications. Improved gate charge and lower power dissipation to meet today's challenging efficiency requirements.
- Extremely high dv/dt capability
- ESD improved capability
- 100% Avalanche tested
- New high voltage benchmark
- Gate charge minimized
警告
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
500mA
晶体管封装类型
SOT-223
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
3.3W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
600V
漏源接通状态电阻
8.5ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
3V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0002