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STH275N8F7-6AG
功率场效应管, MOSFET, N通道, 80 V, 180 A, 1700 µohm, H2PAK-6, 表面安装
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 1 | CNY41.270 | CNY41.27 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY41.270 (CNY46.6351) |
| 10+ | CNY27.580 (CNY31.1654) |
| 100+ | CNY25.040 (CNY28.2952) |
| 500+ | CNY22.490 (CNY25.4137) |
| 1000+ | CNY19.940 (CNY22.5322) |
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产品信息
制造商产品编号STH275N8F7-6AG
库存编号
复卷3132746RL
切割卷带3132746
产品范围STripFET F7
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds80V
电流, Id 连续180A
漏源接通状态电阻1700µohm
晶体管封装类型H2PAK-6
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值4.5V
功率耗散315W
针脚数7引脚
工作温度最高值175°C
产品范围STripFET F7
合规AEC-Q101
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
STH275N8F7-6AG is an automotive-grade N-channel STripFET™ F7 Power MOSFET. This N-channel power MOSFET utilize STripFET™ F7 technology with an enhanced trench gate structure that results in very low onstate resistance, while also reducing internal capacitance and gate charge for faster and more efficient switching. Typically used for switching applications.
- AEC-Q101 qualified
- Among the lowest RDS(on) on the market
- Excellent FoM (figure of merit)
- Low Crss/Ciss ratio for EMI immunity
- High avalanche ruggedness
- 80V drain-source breakdown voltage
- 2.1mohm static drain-source on-resistance max
- 180A drain current (continuous) at TC = 25 °C
- Operating junction temperature range -55 to 175°C
- H²PAK-6 package
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
180A
晶体管封装类型
H2PAK-6
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
315W
工作温度最高值
175°C
合规
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
80V
漏源接通状态电阻
1700µohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
4.5V
针脚数
7引脚
产品范围
STripFET F7
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00035