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STH275N8F7-2AG
功率场效应管, MOSFET, N通道, 80 V, 180 A, 1700 µohm, TO-263 (D2PAK), 表面安装
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 1 | CNY51.470 | CNY51.47 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY51.470 (CNY58.1611) |
| 10+ | CNY34.430 (CNY38.9059) |
| 100+ | CNY25.060 (CNY28.3178) |
| 500+ | CNY23.380 (CNY26.4194) |
| 1000+ | CNY19.580 (CNY22.1254) |
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产品信息
制造商产品编号STH275N8F7-2AG复制
制造商标准货期25 周
库存编号
复卷3367047RL
切割卷带3367047
产品范围STripFET F7
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds80V
电流, Id 连续180A
漏源接通状态电阻1700µohm
晶体管封装类型TO-263 (D2PAK)
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值4.5V
功率耗散315W
针脚数2引脚
工作温度最高值175°C
产品范围STripFET F7
合规AEC-Q101
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
180A
晶体管封装类型
TO-263 (D2PAK)
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
315W
工作温度最高值
175°C
合规
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
80V
漏源接通状态电阻
1700µohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
4.5V
针脚数
2引脚
产品范围
STripFET F7
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00138