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STF10NM60N
功率场效应管, MOSFET, N通道, 600 V, 10 A, 0.53 ohm, TO-220FP, 通孔
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| 500+ | CNY12.200 (CNY13.786) |
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产品概述
STF10NM60N is a N-channel Power MOSFET developed using the second generation of MDmesh technology. This revolutionary Power MOSFET associates a vertical structure to the company’s strip layout to yield one of the world’s lowest on-resistance and gate charge. It is Therefore, suitable for the most demanding high-efficiency converters. Typical used for switching applications.
- 100% avalanche tested
- Low input capacitance and gate charge
- Low gate input resistance
- 600V drain-source breakdown voltage
- 4V gate threshold voltage at VDS = VGS, ID = 250µA
- 550 ohm static drain-source on-resistance max
- TO-220FP package
- 10A drain current (continuous) at TC = 25 °C
- Operating junction temperature range from -55 to 150°C
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
10A
晶体管封装类型
TO-220FP
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
25W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
600V
漏源接通状态电阻
0.53ohm
晶体管安装
通孔
阈值栅源电压最大值
3V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
-
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.007257