打印页面
STD96N3LLH6
功率场效应管, MOSFET, N通道, 30 V, 80 A, 4200 µohm, TO-252 (DPAK), 表面安装
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
制造商产品编号STD96N3LLH6复制
制造商标准货期24 周
库存编号
复卷3367029RL
切割卷带3367029
您的零件号
14,277 有货
需要更多？
14,277 件可于 5-6 个工作日内送达(英国 库存)
包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 1 | CNY12.810 | CNY12.81 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY12.810 (CNY14.4753) |
| 10+ | CNY8.160 (CNY9.2208) |
| 100+ | CNY5.400 (CNY6.102) |
| 500+ | CNY4.250 (CNY4.8025) |
| 1000+ | CNY4.160 (CNY4.7008) |
| 5000+ | CNY4.060 (CNY4.5878) |
品項附註
此订单的信息已添加到您的订单确认邮件、发票和发货通知中。
产品概述
STD96N3LLH6 is a N-channel power MOSFET that utilizes the 6th generation of design rules of ST’s proprietary STripFET™ technology, with a new gate structure. Applications include switching applications, automotive.
- Extremely low on-resistance RDS(on), high avalanche ruggedness
- Low gate drive power losses
- 30V minimum drain-source breakdown voltage (ID = 250µA, VGS= 0, TCASE = 25°C)
- 0.0042ohm maximum static drain-source on resistance (VGS = 10V, ID = 40A, TCASE = 25°C)
- 80A drain current (continuous) at TC = 25°C
- 1 to 2.5V gate threshold voltage range (VDS = VGS, ID = 250µA, TCASE = 25°C)
- 2200pF typical input capacitance (VDS = 25V, f=1MHz, VGS = 0, TCASE = 25°C)
- 400pF typical output capacitance (VDS = 25V, f=1MHz, VGS = 0, TCASE = 25°C)
- 280pF typical reverse transfer capacitance (VDS = 25V, f=1MHz, VGS = 0, TCASE = 25°C)
- DPAK package
警告
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
80A
晶体管封装类型
TO-252 (DPAK)
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
70W
工作温度最高值
175°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
30V
漏源接通状态电阻
4200µohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
2.5V
针脚数
3引脚
产品范围
STripFET VI DeepGATE
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00033