STD7N60M2

功率场效应管, MOSFET, N通道, 600 V, 5 A, 0.86 ohm, TO-252 (DPAK), 表面安装

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STMICROELECTRONICS STD7N60M2
制造商产品编号STD7N60M2
库存编号
复卷2629757RL
切割卷带2629757
产品范围MDmesh II Plus
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  • 制造商产品编号STD7N60M2
    库存编号
    复卷2629757RL
    切割卷带2629757
    产品范围MDmesh II Plus
    技术数据表
    通道类型N通道
    漏源电压, Vds600V
    电流, Id 连续5A
    漏源接通状态电阻0.86ohm
    晶体管封装类型TO-252 (DPAK)
    晶体管安装表面安装
    Rds(on)测试电压10V
    阈值栅源电压最大值3V
    功率耗散60W
    针脚数3引脚
    工作温度最高值150°C
    产品范围MDmesh II Plus
    合规-
    湿气敏感性等级-
    SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
  • 通道类型

    N通道

    电流, Id 连续

    5A

    晶体管封装类型

    TO-252 (DPAK)

    Rds(on)测试电压

    10V

    功率耗散

    60W

    工作温度最高值

    150°C

    合规

    -

    SVHC(高度关注物质)

    No SVHC (25-Jun-2025)

    漏源电压, Vds

    600V

    漏源接通状态电阻

    0.86ohm

    晶体管安装

    表面安装

    阈值栅源电压最大值

    3V

    针脚数

    3引脚

    产品范围

    MDmesh II Plus

    湿气敏感性等级

    -

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  • 原产地:
    进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:
    China
    进行最后一道重要生产流程所在的地区
    税则号:85412900
    US ECCN:EAR99
    EU ECCN:NLR
    RoHS 合规:

    RoHS

    RoHS 邻苯二甲酸盐合规:

    RoHS

    SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
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    产品合规证书

    重量(千克):.00001