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STD17NF03LT4
功率场效应管, MOSFET, N通道, 30 V, 17 A, 0.05 ohm, TO-252 (DPAK), 表面安装
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|---|---|
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| 50+ | CNY3.080 (CNY3.4804) |
| 100+ | CNY2.540 (CNY2.8702) |
| 500+ | CNY2.010 (CNY2.2713) |
| 1000+ | CNY1.820 (CNY2.0566) |
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- 制造商产品编号STD17NF03LT4库存编号1291958技术数据表通道类型N通道漏源电压, Vds30V电流, Id 连续17A漏源接通状态电阻0.05ohm晶体管封装类型TO-252 (DPAK)晶体管安装表面安装Rds(on)测试电压16V阈值栅源电压最大值1.5V功率耗散30W针脚数3引脚工作温度最高值175°C产品范围-合规-湿气敏感性等级MSL 1 -无限制SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
The STD17NF03LT4 is a STripFET™ II N-channel Power MOSFET developed using STMicroelectronics unique Single Feature Size™ strip-based process. The device has extremely high packing density for low ON-resistance, rugged avalanche characteristics and less critical alignment steps therefore a remarkable manufacturing reproducibility.
- Exceptional dV/dt capability
- Low gate charge at 100°C
- Application oriented characterization
- 100% Avalanche tested
- -55 to 175°C Operating junction temperature range
警告
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- 通道类型
N通道
电流, Id 连续17A
晶体管封装类型TO-252 (DPAK)
Rds(on)测试电压16V
功率耗散30W
工作温度最高值175°C
合规-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds30V
漏源接通状态电阻0.05ohm
晶体管安装表面安装
阈值栅源电压最大值1.5V
针脚数3引脚
产品范围-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
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- 原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区税则号：85412900US ECCN:EAR99EU ECCN:NLRRoHS 合规：是RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)下载产品合规证书产品合规证书
重量（千克）：.002041