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STD100N10F7
功率场效应管, MOSFET, N通道, 100 V, 80 A, 6800 µohm, TO-252 (DPAK), 表面安装
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
制造商产品编号STD100N10F7
库存编号
复卷2629744RL
切割卷带2629744
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 1 | CNY19.050 | CNY19.05 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY19.050 (CNY21.5265) |
| 10+ | CNY13.040 (CNY14.7352) |
| 100+ | CNY9.990 (CNY11.2887) |
| 500+ | CNY9.660 (CNY10.9158) |
| 1000+ | CNY9.320 (CNY10.5316) |
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产品信息
制造商产品编号STD100N10F7
库存编号
复卷2629744RL
切割卷带2629744
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds100V
电流, Id 连续80A
漏源接通状态电阻6800µohm
晶体管封装类型TO-252 (DPAK)
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值4.5V
功率耗散120W
针脚数3引脚
工作温度最高值175°C
产品范围DeepGATE STripFET VII
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
- 100V, 80A N-channel STripFET™ F7 power MOSFETs in 3 pin DPAK package
- Among the lowest RDS(on) on the market
- Excellent FoM (figure of merit)
- Low Crss/Ciss ratio for EMI immunity
- High avalanche ruggedness
- Suitable for switching applications
警告
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
80A
晶体管封装类型
TO-252 (DPAK)
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
120W
工作温度最高值
175°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
100V
漏源接通状态电阻
6800µohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
4.5V
针脚数
3引脚
产品范围
DeepGATE STripFET VII
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
STD100N10F7 的替代之选
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00042