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STB9NK60ZT4
功率场效应管, MOSFET, N通道, 600 V, 3.5 A, 0.85 ohm, TO-263 (D2PAK), 表面安装
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制造商标准货期23 周
库存编号
复卷1752018RL
切割卷带1752018
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 1 | CNY32.210 | CNY32.21 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY32.210 (CNY36.3973) |
| 10+ | CNY17.450 (CNY19.7185) |
| 100+ | CNY13.490 (CNY15.2437) |
| 500+ | CNY12.350 (CNY13.9555) |
| 1000+ | CNY12.110 (CNY13.6843) |
| 5000+ | CNY11.860 (CNY13.4018) |
品項附註
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产品概述
The STB9NK60ZT4 is a SuperMESH™ N-channel Power MOSFET offers Zener-protection and minimized gate charge. This Power MOSFET developed using STMicroelectronics' SuperMESH™ technology, achieved through optimization of ST's well established strip-based PowerMESH™ layout. In addition to a significant reduction in ON-resistance, this device is designed to ensure a high level of dV/dt capability for the most demanding applications.
- Improved ESD capability
- 100% Avalanche tested
- Very low intrinsic capacitance
- Extremely high dV/dt capability
警告
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
3.5A
晶体管封装类型
TO-263 (D2PAK)
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
125W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
600V
漏源接通状态电阻
0.85ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
3.75V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0002