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STB8NM60T4
功率场效应管, MOSFET, N通道, 650 V, 8 A, 0.9 ohm, TO-263 (D2PAK), 表面安装
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制造商标准货期22 周
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复卷2344089RL
切割卷带2344089
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| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 1 | CNY34.960 | CNY34.96 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY34.960 (CNY39.5048) |
| 10+ | CNY16.080 (CNY18.1704) |
| 100+ | CNY13.180 (CNY14.8934) |
| 500+ | CNY12.720 (CNY14.3736) |
| 1000+ | CNY12.470 (CNY14.0911) |
| 5000+ | CNY12.220 (CNY13.8086) |
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产品概述
The STB8NM60T4 is a MDmesh™ N-channel Power MOSFET features low input capacitance and gate charge. The MDmesh™ is a new revolutionary Power MOSFET technology that associates the multiple drain process with the company's PowerMESH™ horizontal layout. The resulting product has an outstanding low ON-resistance, impressively high dV/dt and excellent avalanche characteristics. The adoption of the company's proprietary strip technique yields overall dynamic performance that is significantly better than that of similar competition's products.
- 100% Avalanche tested
- High dV/dt and avalanche capabilities
- Low gate input resistance
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
8A
晶体管封装类型
TO-263 (D2PAK)
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
100W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
650V
漏源接通状态电阻
0.9ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
4V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
-
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.001921